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HOME > PV及びPVIシリーズ HgCdTe フォトボルテイック 赤外検出器 Vigo System S.A.

PV及びPVIシリーズ HgCdTe フォトボルテイック 赤外検出器 Vigo System S.A.

   VIGO SYSTEM S.A.
  ヴィゴ システム
  HgCdTe赤外検出器

PV PVIシリーズ HgCdTe フォトボルテイック 赤外検出器

カタログ ダウンロード


 

PV-シリーズ 3 - 8μm フォトボルテイック HgCdTe 赤外検出器 室温動作


 

  

http://www.vigo.com.pl/products/infrared-detectors 各項目のカタログ、図面などのpdfがダウンロード出来ます。

·   PVデータシート
·   TO39技術的図面
·   BNC 技術的図面
·   オーダーコード
 
【説明】
PV-λopt HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、IRフォトボルテイック(光起電力型)赤外検出器です。
 このシリーズは、使い方が簡単で冷却やヒートシンクは必要ありません。
 
デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。
 
最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。スタンダード検出器は。ウインドウなしのTO39またはBNCパッケージで提供可能です。各種ウィンドウ、他のパッケージおよびコネクターは、ご要望に応じて提供可能です。
 
【特徴】Vigo system PVシリーズ HgCdTe赤外検出器
周囲環境温度(室温)動作
バイアス不要
・短い時定数
・ フリッカ雑音なし
・DC~VHF動作
・高速電子機器に完全にマッチ
・広いダイナミック・レンジ
・低価格
・要求に応じてカスタム設計

【仕様】

Parameter

Symbol

Unit

PV-3

PV-3.4

PV-4

PV-5

PV-6

PV-8

Optimal Wavelength

λopt

µm

3

3.4

4

5

6

8

Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt

D*

cm⋅Hz1/2⋅W-1

 

≥8.0×109
≥6.5×109

 

≥7.0×109
≥5.0×109

 

≥5.0×109
≥3.0×109

 

≥2.0×109
≥1.0×109

 

≥1.0×109
≥5.0×108

 

≥8.0×107
≥4.0×107

Current Responsivity @ λopt

Ri

A⋅W-1

≥0.5

≥0.8

≥1

≥1

≥1

≥0.3

Time Constant

τ

ns

≤350

≤260

≤150

≤120

≤80

≤4

Time Constant**)

τ

ns

 ≤3

 ≤2

 ≤1

 ≤0.7

 ≤0.7

 ≤0.7

Resistance - Optical Area Product

R⋅A

Ω⋅cm2

≥1

≥0.5

≥0.1

≥0.01

≥0.002

≥0.0001

Operating Temperature

T

K

~300

Acceptance Angle, F/#

Φ, -

deg, -

>90, 0.71

*)データシートは各検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。

【フォーマット】

Type

Optical Area*) [mm×mm]

0.025×0.025

0.05×0.05

0.1×0.1

0.2×0.2

0.25×0.25

0.5×0.5

1×1

2×2

3×3

4×4

PV-3

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-3.4

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-4

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-5

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-6

O

X

   X**)

O

 

O

 

 

 

 

PV-8

X

   X**)

P

 

 

 

 

 

 

 

*)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X - スタンダード検出器
P - 逆バイアスでデフォルト
O - ご要望による検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。



VIGO system HgCdTe赤外検出器 ダウンロード

PV カタログ ダウンロード

TO39 図面 ダウンロード


BNC 図面 ダウンロード




 

PV-2TE シリーズ 3 - 12μm フォトボルテイック 2ステージTE冷却 HgCdTe 赤外検出器 



  

http://www.vigo.com.pl/products/infrared-detectors 各項目のカタログ、図面などのpdfがダウンロード出来ます。

·   PV-2TEデータシート
·   TO8技術的図面
·   オーダーコード
 
【説明】
PV-2TE-λopt HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、2ステージのTE冷却を備えたフォトボルテイック(光起電力型)赤外検出器です。
 
デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。
 
最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。
 
四分割セル、マルチエレメントアレイ、異なるウィンドウ、レンズおよび光学フィルターは、カスタムでご要望を承ります。
スタンダードHgCdTe赤外検出器は、サファイヤ ウインドウまたはARコート付きZnSeウインドウのTO8パッケージで提供されます。その他のパッケージ、ウィンドウおよびコネクターは、ご要望により承ります。
 
【特徴】PV-2TE シリーズ HgCdTe赤外検出器
スペクトル域2~12μmで高性能
高速応答
フリッカ雑音なし
取扱い容易
広いダイナミック・レンジ
コンパクトで頑丈、高い信頼性
低価格
短納品
要求に応じてカスタム設計
 
【仕様】

Parameter

Symbol

Unit

PV-2TE-3

PV-2TE-3.4

PV-2TE-4

PV-2TE-5

PV-2TE-6

PV-2TE-8

PV-2TE-10.6

Optimal Wavelength

λopt

µm

3

3.4

4

5

6

8

10.6

Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt

D*

cm⋅Hz1/2⋅W-1

 

≥1.0×1011
≥7.0×1010

 

≥6.0×1010
≥4.0×1010

 

≥4.0×1010
≥3.0×1010

 

≥1.5×1010
≥9.0×109

 

≥5.0×109
≥2.0×109

 

≥4.0×108
≥2.0×108

 

≥2.0×108
≥1.0×108

Current Responsivity @ λopt

Ri

A⋅W-1

≥0.5

≥0.8

≥1

≥1.3

≥1.5

≥0.8

≥0.4

Time Constant

τ

ns

≤280

≤200

≤100

≤80

≤50

≤30

≤10

Time Constant**)

τ

ns

≤3

≤2

≤1

≤0.7

≤0.5

≤0.4

≤0.4

Resistance - Optical Area Product

R⋅A

Ω⋅cm2

≥150

≥3

≥2

≥0.1

≥0.02

≥0.0002

≥0.0001

Operating Temperature

T

K

~230

Acceptance Angle, F/#

Φ, -

deg, -

70, 0.87


*)データシートは各赤外検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。
 
【フォーマット】

Type

Optical Area*) [mm×mm]

0.025×0.025

0.05×0.05

0.1×0.1

0.2×0.2

0.25×0.25

0.5×0.5

1×1

2×2

3×3

4×4

PV-2TE-3

O

X

X

O

 

O

O

O

 

 

PV-2TE-3.4

O

X

X

O

 

O

O

O

 

 

PV-2TE-4

O

X

X

O

 

O

O

O

 

 

PV-2TE-5

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-2TE-6

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-2TE-8

X

X**)

P

 

 

 

 

 

 

 

PV-2TE-10.6

X

X**)

P

 

 

 

 

 

 

 

*)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム赤外検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X - スタンダード赤外検出器
P - 逆バイアスでデフォルト
O - ご要望による検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。



VIGO system HgCdTe赤外検出器 ダウンロード

 PV-2TE カタログ ダウンロード

TO8 図面 ダウンロード




PV-3TE シリーズ 3 - 12μm フォトボルテイック 3ステージTE冷却 HgCdTe 赤外検出器



  

http://www.vigo.com.pl/products/infrared-detectors 各項目のカタログ、図面などのpdfがダウンロード出来ます。

·   PV-3TEデータシート
·   TO8技術的図面
·   オーダーコード
 
【説明】
PV-3TE-λopt  HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、3ステージのTE冷却を備えた光起電力型赤外検出器です。
 
デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。
 
最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。
 
四分割セル、マルチエレメントアレイ、異なるウィンドウ、レンズおよび光学フィルターは、カスタムでご要望を承ります。
スタンダードHgCdTe赤外検出器は、サファイヤ ウインドウまたはARコート付きZnSeウインドウのTO8パッケージで提供されます。その他のパッケージ、ウィンドウおよびコネクターは、ご要望により承ります。
 
【特徴】PV-3TEシリーズ HgCdTe赤外検出器
・スペクトル域2~12μmで高性能
・高速応答
・フリッカ雑音なし
・取扱い容易
・広いダイナミック・レンジ
・コンパクトで頑丈、高い信頼性
・低価格
・要求に応じてカスタム設計
 
【仕様】

Parameter

Symbol

Unit

PV-3TE-3

PV-3TE-3.4

PV-3TE-4

PV-3TE-5

PV-3TE-6

PV-3TE-8

PV-3TE-10.6

Optimal Wavelength

λopt

µm

3

3.4

4

5

6

8

10.6

Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt

D*

cm⋅Hz1/2⋅W-1

 

≥3.0×1011
≥1.0×1011

 

≥9.0×1010
≥7.0×1010

 

≥6.0×1010
≥4.0×1010

 

≥4.0×1010
≥1.0×1010

 

≥7.0×109
≥4.0×109

 

≥5.0×108
≥3.0×108

 

≥3.0×108
≥1.5×108

Current Responsivity

@ λopt

Ri

A⋅W-1

≥0.5

≥0.8

≥1

≥1.3

≥1.5

≥1

≥0.7

Time Constant

τ

ns

≤280

≤200

≤100

≤80

≤50

≤30

≤10

Time Constant**)

τ

ns

≤3

≤2

≤1

≤0.7

≤0.5

≤0.4

≤0.4

Resistance - Optical Area Product

R⋅A

Ω⋅cm2

≥240

≥15

≥6

≥0.3

≥0.025

≥0.0004

≥0.0002

Operating Temperature

T

K

~210

Acceptance Angle, F/#

Φ, -

deg, -

70, 0.87

*)データシートは各赤外検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。
 
【フォーマット】

Type

Optical Area*) [mm×mm]

0.025×0.025

0.05×0.05

0.1×0.1

0.2×0.2

0.25×0.25

0.5×0.5

1×1

2×2

3×3

4×4

PV-3TE-3

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-3TE-3.4

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-3TE-4

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-3TE-5

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-3TE-6

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-3TE-8

X

X**)

P

 

 

 

 

 

 

 

PV-3TE-10.6

X

X**)

P

 

 

 

 

 

 

 

*)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム赤外検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X - スタンダード赤外検出器
P - 逆バイアスでデフォルト
O - ご要望による検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。



VIGO system HgCdTe赤外検出器 ダウンロード

PV-3TE カタログ ダウンロード

TO8 図面 ダウンロード




 

PV-4TE シリーズ 3 - 12μm フォトボルテイック 4ステージTE冷却 HgCdTe 赤外検出器


 

  
 

http://www.vigo.com.pl/products/infrared-detectors 各項目のカタログ、図面などのpdfがダウンロード出来ます。

·   PV-4TEデータシート
·   TO8技術的図面
·   オーダーコード
 
【説明】
PV-4TE-λopt HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、4ステージのTE冷却を備えたフォトボルテイック(光起電力型)赤外検出器です。
 
デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。
 
最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。
 
四分割セル、マルチエレメントアレイ、異なるウィンドウ、レンズおよび光学フィルターは、カスタムでご要望を承ります。
スタンダードHgCdTe赤外検出器は、サファイヤ ウインドウまたはARコート付きZnSeウインドウのTO8パッケージで提供されます。その他のパッケージ、ウィンドウおよびコネクターは、ご要望により承ります。
 
【特徴】PC-4TEシリーズ HgCdTe赤外検出器
波長域2~12μmで高性能
高速応答
フリッカ雑音なし
取扱い容易
広いダイナミック・レンジ
コンパクトで頑丈、高い信頼性
低価格
短納期
要求に応じてカスタム設計
 
【仕様】

Parameter

Symbol

Unit

PV-4TE-3

PV-4TE-3.4

PV-4TE-4

PV-4TE-5

PV-4TE-6

PV-4TE-8

PV-4TE-10.6

Optimal Wavelength

λopt

µm

3

3.4

4

5

6

8

10.6

Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt

D*

cm⋅Hz1/2⋅W-1

 

≥3.0×1011
≥1.5×1011

 

≥2.0×1011
≥1.0×1011

 

≥1.0×1011
≥6.0×1010

 

≥4.0×1010
≥1.5×1010

 

≥9.0×109
≥5.0×109

 

≥5.0×108
≥4.0×108

 

≥4.0×108
≥2.0×108

Current Responsivity

@ λopt

Ri

A⋅W-1

≥0.5

≥0.8

≥1

≥1.3

≥1.5

≥1.5

≥0.7

Time Constant

τ

ns

≤280

≤200

≤100

≤80

≤50

≤30

≤10

Time Constant**)

τ

ns

≤3

≤2

≤1

≤0.7

≤0.5

≤0.4

≤0.4

Resistance - Optical Area Product

R⋅A

Ω⋅cm2

≥300

≥20

≥8

≥0.4

≥0.03

≥0.0006

≥0.0005

Operating Temperature

T

K

~195

Acceptance Angle, F/#

Φ, -

deg, -

70, 0.87

*)データシートは各赤外検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。
 
【フォーマット】

Type

Optical Area*) [mm×mm]

0.025×0.025

0.05×0.05

0.1×0.1

0.2×0.2

0.25×0.25

0.5×0.5

1×1

2×2

3×3

4×4

PV-4TE-3

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-4TE-3.4

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-4TE-4

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-4TE-5

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-4TE-6

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-4TE-8

X

X**)

P

 

 

 

 

 

 

 

PV-4TE-10.6

X

X**)

P

 

 

 

 

 

 

 


*)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム赤外検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X - スタンダード赤外検出器
P - 逆バイアスでデフォルト
O - ご要望による赤外検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。

 

VIGO system HgCdTe赤外検出器 ダウンロード

PV-4TE カタログ ダウンロード

TO8 図面 ダウンロード




 

PVI-シリーズ 2 - 8μm フォトボルテイック レンズ組込 HgCdTe 赤外検出器 室温動作



  
 

http://www.vigo.com.pl/products/infrared-detectors 各項目のカタログ、図面などのpdfがダウンロード出来ます。

·   PVIデータシート
·   TO39技術的図面
·   オーダーコード
 
【説明】
PVI-λopt   HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、異なる受容角度と飽和レベルのために、高屈折率GaAsハイパー半球状(標準)または半球状または中間レンズ(オプションとして)付のIRフォトボルテイック(光起電力型)赤外検出器です。
 
このシリーズは、使いやすく、冷却やヒートシンクは必要ありません。デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。
 
最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。四分割セル、マルチエレメントアレイ、異なるウィンドウ、レンズおよび光学フィルターは、カスタムでご要望を承ります。スタンダード検出器は、TO39またはBNCパッケージで提供されます。各種ウィンドウ、その他のパッケージ、およびコネクターは、ご要望により承ります。
 
【特徴】PVIシリーズ HgCdTe赤外検出器
周囲環境温度(室温)動作
バイアス不要
・短時定数
・フリッカ雑音なし
・DC~VHFで動作
・高速電子機器と完全マッチ
・広いダイナミック・レンジ
・低価格
・要求に応じてカスタム設計
 
【仕様】

Parameter
Symbol
Unit
PVI-3
PVI-3.4
PVI-4
PVI-5
PVI-6
PVI-8
Optimal Wavelength
λopt
µm
3
3.4
4
5
6
8
Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt
D*
cm⋅Hz1/2⋅W-1
 
≥5.0×1010
≥5.0×1010
 
≥5.0×1010
≥4.5×1010
 
≥3.0×1010
≥2.0×1010
 
≥1.5×1010
≥9.0×109
 
≥8.0×109
≥4.0×109
 
≥8.0×108
≥4.0×108
Current Responsivity @ λopt
Ri
A⋅W-1
≥0.5
≥0.8
≥1
≥1
≥1
≥0.3
Time Constant
τ
ns
≤350
≤260
≤150
≤120
≤80
≤4
Time Constant**)  τ  ns  ≤3 ≤2 ≤1 ≤0.7 ≤0.5 ≤ 0.7
Resistance - Optical Area Product
R⋅A
Ω⋅cm2
≥100
≥50
≥6
≥1
≥0.2
≥0.01
Operating Temperature
T
K
~300
Acceptance Angle, F/#
Φ, -
deg, -
36, 1.62

 

*)データシートは各赤外検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。
 
【フォーマット】

Type
Optical Area*) [mm×mm]
0.025×0.025
0.05×0.05
0.1×0.1
0.2×0.2
0.25×0.25
0.5×0.5
1×1
2×2
3×3
4×4
PVI-3
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-3.4
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-4
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-5
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-6
 
 
 
 
O
X
X
 
 
 
PVI-8
 
 
 
X
X
X**)
P
 
 
 

*)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム赤外検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X - 標準赤外検出器
P - 逆バイアスでデフォルト
O - ご要望による検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。



VIGO system HgCdTe赤外検出器 ダウンロード

PVI カタログ ダウンロード

TO39 図面 ダウンロード


BNC 図面 ダウンロード





 

PVI-2TE シリーズ 2 - 12μm フォトボルテイック 2ステージTE冷却 レンズ組込 HgCdTe 赤外検出器 

 

  
 

http://www.vigo.com.pl/products/infrared-detectors 各項目のカタログ、図面などのpdfがダウンロード出来ます。

·   PVI-2TEデータシート
·   TO8技術的図面
·   オーダーコード
 
【説明】
PVI-2TE-λopt HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、異なる受容角度と飽和レベルのために、高屈折率GaAsハイパー半球状(標準)または半球状または中間レンズ(オプションとして)付の2ステージのTE冷却付のIRフォトボルテイック(光起電力型)検出器です。
 
デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。四分割セル、マルチエレメントアレイ、異なるウィンドウ、レンズおよび光学フィルターは、カスタムでご要望を承ります。
 

スタンダードHgCdTe赤外検出器は、サファイヤ ウインドウまたはARコート付きZnSeウインドウのTO8パッケージで提供します。その他のパッケージ、ウィンドウおよびコネクターは、ご要望により承ります。
 
【特徴】PVI-2TEシリーズ HgCdTe赤外検出器
・スペクトル域2~12μmで高性能
・高速応答
・フリッカ雑音なし
・取扱い便利
・広いダイナミック・レンジ
・コンパクト、頑丈で高い信頼性
・ 低価格
・短納期
・要求に応じてカスタム設計
 
【仕様】

Parameter
Symbol
Unit
PVI-2TE-3
PVI-2TE-3.4
PVI-2TE-4
PVI-2TE-5
PVI-2TE-6
PVI-2TE-8
PVI-2TE-10.6
Optimal Wavelength
λopt
µm
3
3.4
4
5
6
8
10.6
Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt
D*
cm⋅Hz1/2⋅W-1
 
≥8.0×1011
≥5.5×1011
 
≥6.0×1011
≥3.0×1011
 
≥3.0×1011
≥2.0×1011
 
≥1.0×1011
≥6.0×1010
 
≥5.0×1010
≥2.0×1010
 
≥4.0×109
≥2.0×109
 
≥2.0×109
≥1.0×109
Current Responsivity
@ λopt
Ri
A⋅W-1
≥0.5
≥0.8
≥1
≥1.3
≥1.5
≥0.8
≥0.4
Time Constant
τ
ns
≤280
≤200
≤100
≤80
≤50
≤30
≤10
Time Constant**) τ ns ≤3 ≤2 ≤1 ≤0.7 ≤0.5 ≤0.4 ≤0.4
Resistance - Optical Area Product
R⋅A
Ω⋅cm2
≥15000
≥300
≥200
≥10
≥2
≥0.02
≥0.01
Operating Temperature
T
K
~230
Acceptance Angle, F/#
Φ, -
deg, -
36, 1.62

 

*)データシートは各赤外検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。
 
【フォーマット】

Type
Optical Area*) [mm×mm]
0.025×0.025
0.05×0.05
0.1×0.1
0.2×0.2
0.25×0.25
0.5×0.5
1×1
2×2
3×3
4×4
PVI-2TE-3
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-2TE-3.4
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-2TE-4
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-2TE-5
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-2TE-6
 
 
 
 
O
X
X
 
 
 
PVI-2TE-8
 
 
 
X
X
X**)
P
 
 
 
PVI-2TE-10.6
 
 
 
X
X
X**)
P
 
 
 

 

*)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム赤外検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X - スタンダード赤外検出器
P - 逆バイアスでデフォルト
O - ご要望による赤外検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。



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PVI-2TE カタログ ダウンロード

TO8 図面 ダウンロード

 



 

PVI-3TE シリーズ 2 - 12μm フォトボルテイック 3ステージTE冷却 レンズ組込 HgCdTe 赤外検出器




  
 

http://www.vigo.com.pl/products/infrared-detectors 各項目のカタログ、図面などのpdfがダウンロード出来ます。

·   PVI-3TEデータシート
·   TO8 技術的図面
·   オーダーコード
 
【説明】
PVI-3TE-λopt HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、異なる受容角度と飽和レベルのために、高屈折率GaAsハイパー半球状(標準)または半球状または中間レンズ(オプションとして)付の3ステージのTE付のIRフォトボルテイック(光起電力型)赤外検出器です。
 
デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。四分割セル、マルチエレメントアレイ、異なるウィンドウ、レンズおよび光学フィルターは、カスタムでご要望を承ります。
 

スタンダードHgCdTe赤外検出器は、サファイヤ ウインドウまたはARコート付きZnSeウインドウのTO8パッケージで提供します。その他のパッケージ、ウィンドウおよびコネクターは、ご要望により承ります。
 
【特徴】PVI-3TEシリーズ HgCdTe赤外検出器
・スペクトル域2~12μmで高性能
・高速応答
・フリッカ雑音なし
・取扱い容易
・広いダイナミック・レンジ
・コンパクト、頑丈で高い信頼性
・低価格
・短納期
・要求に応じてカスタム設計
 
【仕様】

 

Parameter
Symbol
Unit
PVI-3TE-3
PVI-3TE-3.4
PVI-3TE-4
PVI-3TE-5
PVI-3TE-6
PVI-3TE-8
PVI-3TE-10.6
Optimal Wavelength
λopt
µm
3
3.4
4
5
6
8
10.6
Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt
D*
cm⋅Hz1/2⋅W-1
 
≥9.0×1011
≥7.0×1011
 
≥7.0×1011
≥5.0×1011
 
≥5.0×1011
≥3.0×1011
 
≥1.0×1011
≥8.0×1010
 
≥6.0×1010
≥3.0×1010
 
≥5.0×109
≥3.0×109
 
≥3.0×109
≥1.5×109
Current Responsivity
@ λopt
Ri
A⋅W-1
≥0.5
≥0.8
≥1
≥1.3
≥1.5
≥1
≥0.7
Time Constant
τ
ns
≤280
≤200
≤100
≤80
≤50
≤30
≤10
Time Constant**)
τ ns ≤3 ≤2 ≤1 ≤0.7 ≤0.5 ≤0.4 ≤0.4
Resistance - Optical Area Product
R⋅A
Ω⋅cm2
≥24000
≥1500
≥600
≥30
≥2.5
≥0.04
≥0.02
Operating Temperature
T
K
~210
Acceptance Angle, F/#
Φ, -
deg, -
36, 1.62

*)データシートは各赤外検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。
 
【フォーマット】

Type
Optical Area*) [mm×mm]
0.025×0.025
0.05×0.05
0.1×0.1
0.2×0.2
0.25×0.25
0.5×0.5
1×1
2×2
3×3
4×4
PVI-3TE-3
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-3TE-3.4
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-3TE-4
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-3TE-5
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-3TE-6
 
 
 
 
O
X
X
 
 
 
PVI-3TE-8
 
 
 
X
X
X**)
P
 
 
 
PVI-3TE-10.6
 
 
 
X
X
X**)
P
 
 
 

*)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム赤外検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X - スタンダード赤外検出器
P - 逆バイアスでデフォルト
O - ご要望による赤外検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。
 


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PVI-3TE カタログ ダウンロード

TO8 図面 ダウンロード




 

PVI-4TE シリーズ 2 - 12μm フォトボルテイック 4ステージTE冷却 レンズ組込 HgCdTe 赤外検出器



  
 

http://www.vigo.com.pl/products/infrared-detectors 各項目のカタログ、図面などのpdfがダウンロード出来ます。

·   PVI-4TEデータシート
·   TO8 技術的図面
·   オーダーコード
 
【説明】
PVI-4TE-λopt  HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、異なる受容角度と飽和レベルのために、高屈折率GaAsハイパー半球状(標準)または半球状または中間レンズ(オプションとして)付の4ステージのTE付IRフォトボルテイック(光起電力型)検出器です。
 
デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。四分割セル、マルチエレメントアレイ、異なるウィンドウ、レンズおよび光学フィルターは、カスタムでご要望を承ります。
 

スタンダードHgCdTe赤外検出器は、サファイヤ ウインドウまたはARコート付きZnSeウインドウのTO8パッケージで提供します。その他のパッケージ、ウィンドウおよびコネクターは、ご要望により承ります。
 
【特徴】PVI-4TEシリーズ HgCdTe赤外検出器
・スペクトル域2~12μmで高性能
・高速応答
・フリッカ雑音なし
・取扱い容易
・広いダイナミック・レンジ
・コンパクト、頑丈で高い信頼性
・低価格
・短納期
・要求に応じてカスタム設計
 
【仕様】

 

Parameter
Symbol
Unit
PVI-4TE-3
PVI-4TE-3.4
PVI-4TE-4
PVI-4TE-5
PVI-4TE-6
PVI-4TE-8
PVI-4TE-10.6
Optimal Wavelength
λopt
µm
3
3.4
4
5
6
8
10.6
Detectivity*):
peak
opt
D*
cm⋅Hz1/2⋅W-1
 
≥1.0×1012
≥8.0×1011
 
≥8.0×1011
≥7.0×1011
 
≥6.0×1011
≥4.0×1011
 
≥3.0×1011
≥1.0×1011
 
≥6.0×1010
≥4.0×1010
 
≥5.0×109
≥4.0×109
 
≥4.0×109
≥2.0×109
Current Responsivity
@ λopt
Ri
A⋅W-1
≥0.5
≥0.8
≥1
≥1.3
≥1.5
≥1.5
≥0.7
Time Constant
τ
ns
≤280
≤200
≤100
≤80
≤50
≤30
≤10
Time Constant**)
τ ns ≤3 ≤2 ≤1 ≤0.7 ≤0.5 ≤0.4 ≤0.4
Resistance - Optical Area Product
R⋅A
Ω⋅cm2
≥30000
≥2000
≥800
≥40
≥3
≥0.06
≥0.05
Operating Temperature
T
K
~195
Acceptance Angle, F/#
Φ, -
deg, -
36, 1.62

*)データシートは各検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。
 
【フォーマット】

Type
Optical Area*) [mm×mm]
0.025×0.025
0.05×0.05
0.1×0.1
0.2×0.2
0.25×0.25
0.5×0.5
1×1
2×2
3×3
4×4
PVI-4TE-3
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-4TE-3.4
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-4TE-4
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-4TE-5
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-4TE-6
 
 
 
 
O
X
X
 
 
 
PVI-4TE-8
 
 
 
X
X
X**)
P
 
 
 
PVI-4TE-10.6
 
 
 
X
X
X**)
P
 
 
 

*)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム赤外検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X - スタンダード赤外検出器
P - 逆バイアスでデフォルト
O - ご要望による検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。



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